Chemical and Materials Engineering | Article | Published 2019
В работе рассматриваются результаты разработки селективного ППС для контроля содержания H2S и изучения его некоторых характеристик. В результаты проведенных экспериментов установлено, что существует относительно узкий температурный интервал (350○С), в котором чувствительность полупроводникового слоя SiО2/WO3+10%CuO к H2S максимальна. При детектировании H2S наиболее высокой чувствительностью обладает сенсор на основе SiО2/WO3+10%CuO. Нанесенный на поверхность пленки WО3 слой оксида меди в количестве 1,0; 5,0 и 10% повышает чувствительность сенсора к H2S, соответственно, в 2,5; 8,5 и 10,5 раза.